一般
| ベース品番 | 2N6051 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
| Power - Max | 150 W |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-3 (TO-204AA) |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/501 |