一般
| ベース品番 | 2N4449 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 10mA, 100mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 20 V |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 400nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 360 mW |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AB, TO-46-3 Metal Can |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-46 (TO-206AB) |
環境条件
| Grade | Military |
|---|---|
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Qualification | MIL-PRF-19500/317 |