JAN1N6076

Microchip Technology

JAN1N6076

アナログ・電源

DIODE GEN PURP 50V 1.3A E-PAK

量産中E, Axialアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番1N6076
メーカーMicrochip Technology
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)30 ns
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.76 V @ 18.8 A
Current - Average Rectified (Io)1.3A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 50 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseE, Axial
サプライヤーデバイスパッケージE-PAK

環境条件

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 155°C
QualificationMIL-PRF-19500/503