JAN1N5420US

Microchip Technology

JAN1N5420US

アナログ・電源

DIODE GEN PURP 600V 3A D-5B

量産中SQ-MELF, Eアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

ベース品番1N5420
メーカーMicrochip Technology
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)400 ns
技術Standard

電気特性

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.5 V @ 9 A
Current - Average Rectified (Io)3A
Current - Reverse Leakage @ Vr1 µA @ 600 V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseSQ-MELF, E
サプライヤーデバイスパッケージD-5B

環境条件

GradeMilitary
Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C
QualificationMIL-PRF-19500/411