一般
| ベース品番 | 2N579 |
|---|---|
| メーカー | Microchip Technology |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 600mW |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-78-6 |
環境条件
| 動作温度 | -65°C ~ 175°C (TJ) |
|---|