一般
| メモリタイプ | Non-Volatile |
|---|---|
| 技術 | FLASH - NAND (SLC) |
| アクセス時間 | 25 ns |
| ベース品番 | TH58BYG3 |
| メーカー | Kioxia America, Inc. |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | Benand™ |
| 書き込みサイクル時間 | 25ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 8Gbit |
|---|---|
| メモリ形式 | FLASH |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 1.7V ~ 1.95V |
| Memory Organization | 1G x 8 |
機械特性
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 63-VFBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 63-TFBGA (9x11) |
環境条件
| 動作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|