TH58BVG2S3HBAI6

Kioxia America, Inc

TH58BVG2S3HBAI6

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4G 67VFBGA

量産中67-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
ベース品番TH58BVG2
メーカーKioxia America, Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズBenand™

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
電源電圧2.7V ~ 3.6V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ67-VFBGA (6.5x8)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)