TC58NYG2S0HBAI6

Kioxia America, Inc

TC58NYG2S0HBAI6

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

量産中67-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
アクセス時間25 ns
ベース品番TC58NYG2
メーカーKioxia America, Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間25ns

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceParallel
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case67-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ67-VFBGA (6.5x8)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)