TC58NYG2S0HBAI4

Kioxia America, Inc

TC58NYG2S0HBAI4

メモリ・ストレージ

IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

量産中63-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NAND (SLC)
ベース品番TC58NYG2
メーカーKioxia America, Inc.
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間25ns

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式FLASH
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTray
Package / Case63-VFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ63-TFBGA (9x11)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)