一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | VWM200 |
| 構成 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 430nC @ 10V |
| メーカー | IXYS |
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 100V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 210A |
機械特性
| パッケージ | Box |
|---|---|
| Package / Case | V2-PAK |
| サプライヤーデバイスパッケージ | V2-PAK |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
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