VMO580-02F

IXYS

VMO580-02F

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI

旧品種Y3-Liアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 430A, 10V
ベース品番VMO580
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2750 nC @ 10 V
メーカーIXYS
実装タイプChassis Mount
Product StatusObsolete
シリーズHiPerFET™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 50mA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C580A (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseY3-Li
サプライヤーデバイスパッケージY3-Li

環境条件

動作温度-40°C ~ 150°C (TJ)