一般
| ベース品番 | LSIC1MO120 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| メーカー | IXYS |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 |