IXTT10N100D

IXYS

IXTT10N100D

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

量産中TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 10A, 10V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズDepletion
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大消費電力400W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
サプライヤーデバイスパッケージTO-268AA

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)