IXTQ69N30P

IXYS

IXTQ69N30P

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 300V 69A TO3P

量産中TO-3P-3, SC-65-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4960 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズPolar
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C69A (Tc)
最大消費電力500W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-3P

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)