IXTP3N100D2

IXYS

IXTP3N100D2

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズDepletion
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)