IXTP02N120P

IXYS

IXTP02N120P

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs75Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds104 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズPolar
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
最大消費電力33W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)