IXTH200N10T

IXYS

IXTH200N10T

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 200A TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9400 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス量産中
シリーズTrench
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200A (Tc)
最大消費電力550W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247 (IXTH)

環境条件

動作温度-55°C ~ 175°C (TJ)