IXTH1N100

IXYS

IXTH1N100

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs11Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
最大消費電力60W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247 (IXTH)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)