IXTH10N100D2

IXYS

IXTH10N100D2

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

量産中TO-247-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 5A, 10V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5320 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズDepletion
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
最大消費電力695W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-247 (IXTH)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)