IXTF6N200P3

IXYS

IXTF6N200P3

アナログ・電源

MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC

量産中ISOPLUSi5-PAK™アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2Ohm @ 3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
シリーズPolar P3™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧2000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大消費電力215W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseISOPLUSi5-PAK™
サプライヤーデバイスパッケージISOPLUS i4-PAC™

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)