IXTA3N100D2HV

IXYS

IXTA3N100D2HV

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 1.5A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズDepletion
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tj)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263HV

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)