IXTA2N100P

IXYS

IXTA2N100P

アナログ・電源

MOSFET N-CH 1000V 2A TO263

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds655 pF @ 25 V
メーカーIXYS
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズPolar
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
最大消費電力86W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263AA

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)