取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| ベース品番 | IXFT80 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8300 pF @ 25 V |
| メーカー | IXYS |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| 最大消費電力 | 890W (Tc) |
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-268HV (IXFT) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|