一般
| Gate Charge | 335 nC |
|---|---|
| 入力タイプ | Standard |
| メーカー | IXYS |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.9 µs |
| シリーズ | BIMOSFET™ |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 55A |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 86 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 600 A |
| Power - Max | 357 W |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|