一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
|---|---|
| ベース品番 | FDM100 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| メーカー | IXYS |
| 実装タイプ | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 55 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
機械特性
| パッケージ | Tube |
|---|---|
| Package / Case | i4-Pac™-5 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ISOPLUS i4-PAC™ |
環境条件
| 動作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
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