IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR

データシート

メモリ・ストレージ

8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MH

量産中24-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術PSRAM (Pseudo SRAM)
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間40ns

電気特性

メモリ容量8Mbit
メモリ形式PSRAM
Memory InterfaceSPI - Quad I/O
クロック周波数200 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization2M x 4

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case24-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ24-TFBGA (6x8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)