一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SRAM - Asynchronous |
| アクセス時間 | 10 ns |
| メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 書き込みサイクル時間 | 10ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV25616FALL-10BLI
データシートメモリ・ストレージ
4Mb,High-Speed/Low Power,Async,2
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 4Mbit |
|---|---|
| メモリ形式 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 1.65V ~ 2.2V |
| Memory Organization | 256K x 16 |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 48-TFBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 48-TFBGA (6x8) |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
|---|