IS61QDB41M18A-250M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61QDB41M18A-250M3L

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

量産中165-LBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, QUAD
アクセス時間1.8 ns
ベース品番IS61QDB41
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数250 MHz
電源電圧1.71V ~ 1.89V
Memory Organization1M x 18

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-LBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-LFBGA (15x17)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)