IS61NVP51236B-200B3LI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP51236B-200B3LI

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

量産中165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間3 ns
ベース品番IS61NVP51236
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧2.375V ~ 2.625V
Memory Organization512K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-TFBGA (13x15)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)