IS61NVP25672-200B1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61NVP25672-200B1

データシート

メモリ・ストレージ

IC SRAM 18MBIT PAR 209LFBGA

旧品種209-BGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間3.1 ns
ベース品番IS61NVP25672
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量18Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧2.375V ~ 2.625V
Memory Organization256K x 72

機械特性

パッケージTray
Package / Case209-BGA
サプライヤーデバイスパッケージ209-LFBGA (14x22)

環境条件

動作温度0°C~70°C(TA)