IS61LV12824-8BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12824-8BI

メモリ・ストレージ

IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

旧品種119-BGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間8 ns
ベース品番IS61LV12824
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間8ns

電気特性

メモリ容量3Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3.135V ~ 3.63V
Memory Organization128K x 24

機械特性

パッケージTray
Package / Case119-BGA
サプライヤーデバイスパッケージ119-PBGA (14x22)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)