IS61LV12824-10B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LV12824-10B

メモリ・ストレージ

IC SRAM 3MBIT PARALLEL 119PBGA

旧品種119-BGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間10 ns
ベース品番IS61LV12824
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
書き込みサイクル時間10ns

電気特性

メモリ容量3Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧3.135V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 24

機械特性

パッケージTray
Package / Case119-BGA
サプライヤーデバイスパッケージ119-PBGA (14x22)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)