IS61LPS25636A-200B2I-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS25636A-200B2I-TR

メモリ・ストレージ

IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA

旧品種119-BBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間3.1 ns
ベース品番IS61LPS25636
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量9Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧3.135V ~ 3.465V
Memory Organization256K x 36

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case119-BBGA
サプライヤーデバイスパッケージ119-PBGA (14x22)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)