IS61LPS12836EC-200B3I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61LPS12836EC-200B3I

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 165TFBGA

旧品種165-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Synchronous, SDR
アクセス時間3.1 ns
ベース品番IS61LPS12836
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete

電気特性

メモリ容量4Mbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数200 MHz
電源電圧3.135V ~ 3.465V
Memory Organization128K x 36

機械特性

パッケージTray
Package / Case165-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ165-TFBGA (13x15)

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)