IS49NLC18160A-25EWBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS49NLC18160A-25EWBLI

データシート

メモリ・ストレージ

RLDRAM2 Memory, 288Mbit, x18, Co

量産中144-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術RLDRAM 2
アクセス時間15 ns
ベース品番IS49NLC18160
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive

電気特性

メモリ容量288Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceHSTL
クロック周波数400 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.9V
Memory Organization16M x 18

機械特性

パッケージBulk
Package / Case144-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ144-TWBGA (11x18.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)