一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SDRAM - DDR3 |
| アクセス時間 | 20 ns |
| メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q100 |
| 書き込みサイクル時間 | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46TR16256B-107MBLA2
データシートメモリ・ストレージ
Automotive (Tc: -40 to +105C), 4
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 4Gbit |
|---|---|
| メモリ形式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| クロック周波数 | 933 MHz |
| 電源電圧 | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 256M x 16 |
機械特性
| パッケージ | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 96-TFBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 96-TWBGA (9x13) |
環境条件
| 動作温度 | -40°C ~ 105°C (TC) |
|---|