IS46LQ16256A-062TBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS46LQ16256A-062TBLA2-TR

データシート

メモリ・ストレージ

Automotive (Tc: -40 to +105C), 4

量産中200-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR4
アクセス時間3.5 ns
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q100
書き込みサイクル時間18ns

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceLVSTL
クロック周波数1.6 GHz
電源電圧1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization256M x 16

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case200-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ200-TFBGA (10x14.5)

環境条件

動作温度-40°C ~ 105°C (TC)