一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | SDRAM - DDR3 |
| アクセス時間 | 20 ns |
| メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| 梱包 | Tray |
| 製品ステータス | 量産中 |
| 書き込みサイクル時間 | 15ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 2Gbit |
|---|---|
| メモリ形式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| クロック周波数 | 1.066 GHz |
| 電源電圧 | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
機械特性
| Package / Case | 96-TFBGA |
|---|
環境条件
| Grade | Automotive |
|---|---|
| 動作温度 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |