IS43QR85120B-075UBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43QR85120B-075UBL-TR

データシート

メモリ・ストレージ

4G, 1.2V, DDR4, 512Mx8, 2666MT/s

量産中78-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - DDR4
アクセス時間19 ns
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfacePOD
クロック周波数1.333 GHz
電源電圧1.14V ~ 1.26V
Memory Organization512M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case78-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ78-TWBGA (10x14)

環境条件

動作温度-40°C ~ 95°C (TC)