IS43LR32800H-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LR32800H-6BL

データシート

メモリ・ストレージ

256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 1

量産中90-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR
アクセス時間5.5 ns
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量256Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceLVCMOS
クロック周波数166 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization8M x 32

機械特性

パッケージBulk
Package / Case90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ90-TFBGA (8x13)

環境条件

動作温度0°C ~ 70°C (TA)