IS43LD32128B-18BPLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS43LD32128B-18BPLI

データシート

メモリ・ストレージ

IC DRAM 4GBIT HSUL 12 168VFBGA

量産中168-VFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
アクセス時間5.5 ns
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
書き込みサイクル時間15ns

電気特性

メモリ容量4Gbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceHSUL_12
クロック周波数533 MHz
電源電圧1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Memory Organization128M x 32

機械特性

パッケージTray
Package / Case168-VFBGA

環境条件

GradeAutomotive
動作温度-40°C ~ 85°C (TC)
QualificationAEC-Q100