IS42RM32800E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS42RM32800E-6BLI

メモリ・ストレージ

IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA

生産終了90-TFBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SDRAM - Mobile
アクセス時間5.5 ns
ベース品番IS42RM32800
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs

電気特性

メモリ容量256Mbit
メモリ形式DRAM
Memory InterfaceParallel
クロック周波数166 MHz
電源電圧2.3V ~ 3V
Memory Organization8M x 32

機械特性

パッケージTray
Package / Case90-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ90-TFBGA (8x13)

環境条件

動作温度-40°C ~ 85°C (TA)