一般
| メモリタイプ | Volatile |
|---|---|
| 技術 | DRAM - EDO |
| アクセス時間 | 25 ns |
| ベース品番 | IS41C16100 |
| メーカー | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 書き込みサイクル時間 | 85ns |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| メモリ容量 | 16Mbit |
|---|---|
| メモリ形式 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 電源電圧 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 1M x 16 |
機械特性
| パッケージ | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 50-TSOP II |
環境条件
| 動作温度 | -40°C~85°C(TA) |
|---|