IS25WP512M-RHLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS25WP512M-RHLE-TR

データシート

メモリ・ストレージ

512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x

量産中24-TBGAメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプNon-Volatile
技術FLASH - NOR (SLC)
メーカーISSI, Integrated Silicon Solution Inc
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズAutomotive, AEC-Q100
書き込みサイクル時間50µs, 1ms

電気特性

メモリ容量512Mbit
メモリ形式FLASH
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
クロック周波数112 MHz
電源電圧1.7V ~ 1.95V
Memory Organization64M x 8

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case24-TBGA
サプライヤーデバイスパッケージ24-TFBGA (6x8)

環境条件

動作温度-40°C ~ 105°C (TA)