IRF3808SPBF

International Rectifier

IRF3808SPBF

アナログ・電源

HEXFET POWER MOSFET

量産中TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 82A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5310 pF @ 25 V
メーカーInternational Rectifier
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズHEXFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C106A (Tc)
最大消費電力200W (Tc)

機械特性

パッケージBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージD2PAK

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)