P2114AL4

Intel

P2114AL4

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP

量産中18-DIPメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間200 ns
メーカーIntel
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間200ns

電気特性

メモリ容量4Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

機械特性

パッケージBulk
Package / Case18-DIP
サプライヤーデバイスパッケージ18-DIP

環境条件

動作温度-55°C~125°C(TA)