MD2147H3

Intel

MD2147H3

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

量産中18-CDIPメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間55 ns
メーカーIntel
実装タイプThrough Hole
梱包Bulk
製品ステータス量産中
書き込みサイクル時間55ns

電気特性

メモリ容量4Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization4K x 1

機械特性

Package / Case18-CDIP
サプライヤーデバイスパッケージ18-CDIP

環境条件

動作温度-55°C ~ 125°C (TC)