LD2114AL4

Intel

LD2114AL4

メモリ・ストレージ

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

量産中18-CDIPメモリ・ストレージ

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

メモリタイプVolatile
技術SRAM - Asynchronous
アクセス時間200 ns
メーカーIntel
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
書き込みサイクル時間200ns

電気特性

メモリ容量4Kbit
メモリ形式SRAM
Memory InterfaceParallel
電源電圧4.5V ~ 5.5V
Memory Organization1K x 4

機械特性

パッケージBulk
Package / Case18-CDIP
サプライヤーデバイスパッケージ18-CDIP

環境条件

動作温度-40°C~85°C(TA)