SPB11N60C3ATMA1

Infineon Technologies

SPB11N60C3ATMA1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 11A TO263-3

生産終了TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs380mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
メーカーInfineon Technologies
実装タイプSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
シリーズCoolMOS™
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 500µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージPG-TO263-3-2

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)