一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6 nC @ 4.45 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 97 pF @ 15 V |
| メーカー | Infineon Technologies |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Not For New Designs |
| シリーズ | HEXFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |